为什么半导体技术的极限是7nm，但现在被打破了

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7nm是物理限制，而不是过程限制。
制造小于7 nm的设备并不困难，并且使用ebeamlith是一个大问题。
然而，Si晶体管小于7nm并且具有很少的原子层。隧道引起的泄漏问题不可忽视，无法使用。
芯片中内置了太多晶体管。晶体管门控制电流是否可以从源极流到漏极。晶体管的源极和漏极基于硅连接。
随着晶体管尺寸的逐渐减小，源极和漏极之间的沟道也缩短，并且当沟道缩短到一定程度时，量子隧穿效应变得更容易。
晶体管失去了作为开关的作用，并且逻辑电路不再存在。
2016年，一些媒体在互联网上发表了一篇文章，指出：``在现有的硅材料芯片的情况下，晶体管的门长小于7 nm，晶体管中的电子易于隧穿。“这将对芯片制造商构成巨大挑战。”
因此，很可能采用7 nm工艺，并且不一定是硅芯片工艺的物理极限。
当前，半导体行业肯定优先考虑改变结构，但是从理论上讲，不可能超过半导体的60mV /十年的极限。
真正的下一代半导体无疑具有与当前半导体完全不同的工作原理。无论是TFET，MIFET还是其他，它都绝对取代了当前的半导体原理。
扩展数据和问题的困难半导体制冷技术的困难半导体制冷过程涉及许多参数。所有参数都会影响冷却效果。
实验室研究需要调查实验室环境，因为很难满足指定的噪音要求。
半导体制冷技术是基于粒子的可逆技术。
因此，在应用制冷技术的过程中，热端和冷端之间的温差大，不可避免地产生冷却效果。
首先，无法根据需要进一步提高半导体材料的品质因数。这不可避免地影响了半导体冷却技术的应用。
其次，冷端和热端散热系统的优化设计仍处于理论阶段，在应用中没有发挥更好的作用。半导体冷却技术无法根据应用需求进行改进。
第三，半导体冷却技术在其他领域和相关领域中具有局限性。因此，很少使用半导体冷却技术。从应用的角度看，半导体制冷技术研究在技术上是不可扩展的。
第四，在市场经济环境下，科学技术的发展，要发展的半导体制冷技术必须考虑各种问题。
将重点放在半导体制冷技术的应用上，但也将考虑几个因素来使该技术更好地工作。